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查看: 5793|回复: 7

[讨论] ICC中的filler cell

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发表于 2014-3-12 15:24:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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ICC中的Pascon cells和GA Fille分别是什么
发表于 2014-3-13 11:13:16 | 显示全部楼层
GA CELL 就是Gate Array for freeze silicon ECO (S) 也就是 post_mask ECO (C)
至于Pascon  帕斯孔 听上去像个人名
 楼主| 发表于 2014-3-13 11:25:22 | 显示全部楼层
回复 2# 小干爹z2z


    谢谢,请问Decouple Capacitance filler cell主要是降噪?使电容达到一致,并且是带metal的,这个一定要加吗?还是只加GA?
发表于 2014-3-13 13:01:43 | 显示全部楼层
Decap是降IRDrop的 对crosstalk会有negative的影响 希望我猜的是对的哈哈
 楼主| 发表于 2014-3-13 13:41:29 | 显示全部楼层
回复 4# 小干爹z2z


    neagtive?能positive IRDrop,却negative xtalk....why
发表于 2014-3-14 09:36:42 | 显示全部楼层
回复 5# chanshi634


   这个你要不看看书查以下吧
发表于 2014-3-15 00:10:10 | 显示全部楼层
先加decap cell  再加filer 一般decap m1  会占用一部分绕线资源。filler 不会。
优点是可以显著降低dynamic IR drop,首先明确电容是加在power 和ground之间的,电容两端电压不能突变。公式Q=VC 得到dv=1/c*dQ/dt ,c越大 电压变化越小。
缺点会增大leakage  power
 楼主| 发表于 2014-3-15 18:22:26 | 显示全部楼层
回复 7# gzh9255


    谢谢
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