集成POWER MOS的DC/DC噪声隔离问题

mouseyyh · 发表于 2014-1-24 15:56:00

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

大家做集成power MOS的时候都采取哪些措施对噪声有效隔离？欢迎大家讨论。。。。

silverpuma · 发表于 2014-1-24 17:32:25

double guard-ring，power mos的电源和其他模块电源分开，power mos的地和其他模块的地分开，减小D/S端ponding wire的寄生参数。。。。

simonjin · 发表于 2014-1-28 10:15:29

这是我的经验：
1. 每一个mosfet用guard ring圈起来，最后整个区域要用iso_ring打两层
2. 我一般会用3根以上的wirebond接一个pinpad，wirebonding会由寄生电感，所以越短越好
3. 在mosfet的上层metal用the art gf analog layout里的结构，减小ringing
4. 在gate driver上有一些设置减少噪音

huangniuniu · 发表于 2014-1-28 10:35:50

最近做了颗同步的，发现PGND和AGND之间的隔离没有做好，目前整理如下：
（1） MOSFET采用ISO,中间的隔离层一定要加，而且是最高电压，这样PGND, VDD, AGND, 保证PGND和AGND之间隔离效果好。
（2）打线时，尽量将PGND打到PIN，AGND也最好打到PIN,
(3) DRIVER电路的地用的PGND, 最好也单独打到PIN,
(2) (3）保证PGND, AGND从PIN上看就是星型连接！！

simonjin · 发表于 2014-2-4 04:27:12

你说的PGND和AGND指的是power ground和analog ground?
能不能详细说一下星形连接？

mouseyyh · 发表于 2014-12-17 15:42:53

楼主说的星形链接其实就是kelvin链接的意思

mouseyyh · 发表于 2014-12-17 15:43:34

噪声问题确实比较棘手的问题，欢迎道家都来讨论这个问题

mouseyyh · 发表于 2014-12-17 15:45:14

请问楼主做的是高压buck还是boost？或者是低压buck或者boost？

lnxmj · 发表于 2024-12-14 15:06:15

感谢分享

[讨论] 集成POWER MOS的DC/DC噪声隔离问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

相关帖子

站长推荐 /1