MIM电容版图结构，连接问题。

898spake

1 mim电容是用两层metal做成的，但是这两层之间打孔了，那不是把这层连接到一起了吗，可是实际是没有的，那这个via是干什么用的。
2 两层中用 那层接vss比较好。
3mim电容做dummy是不是很麻烦，周围有dummy后，中间的cap就不好引出来了啊。

898spake

别沉啊，求助攻

motofatfat

mim ㄉ結構 以 m12為例,如下圖
主要是 mim 當 上層 m1 當下層
via1 在 mim 上, m2 會接 在 mim ,不會接在 m1 上
via1 不在mim 上,m2  會接在 m1 上

哪一層接vss,要看情形決定
dummy 一向是麻煩的

m2_mmmmmmmmmm
via1
mim_mmmm    via1
  
m1_mmmmmm mmm

Hyacinth1292

两层金属间多一层金属。接的时候dummuy电容的两端都会接到节点上。

tuohong

大多数人对这个工艺上的实现有认识上的误区，实际上via&contact的高度是可以不一致的，对MIM或者PIP的剖面图理解一下就明白了。

xxmule

回复 5# tuohong


    对的，看图（特别是剖面图）好理解些

版图漫游者

1、MIM电容有一个CAPMETAL层，这一层不仅仅用来作为标识层，而且用于制造，为了获得较大的MIM单位容值，一般是利用CAPMETAL这层MASK挖去下极板METAL之上的一部分氧化层，然后淀积一层金属，所做的VIA就是用于将上极板金属与这一层金属相连接。
PS: 电容体区由CAPMETAL的大小决定
2、一般来说，比较重要的信号连线不处于顶层也不处于底层，所以一般来说重要的信号线都用CAP下极板，上极板接VSS（CAP是由METAL2和METAL3构成）
3、连线我认为没什么复杂，但是要考虑连线寄生之间的匹配

gnoc

楼上分析的到位。支持MIM的工艺，在工艺文件中对MIM有很明确的描述，结合剖面，容易理解
另外，从工艺角度，MIM制造误差偏大，重要模块一般不适用。

378441262

感觉学到了很多

wenfangsibao

motofatfat 发表于 2014-1-2 10:01
mim ㄉ結構 以 m12為例,如下圖
主要是 mim 當 上層 m1 當下層
via1 在 mim 上, m2 會接 在 mim ,不會接在 m ...

图呢？