想问问开关电容电路用bicmos工艺有什么优势？

adccoltd · 发表于 2013-12-22 22:47:43

回复 10# vdslafe

这倒是真的，我是觉得用65n以下的cmos也能做出adi ti的绝大多数型号的指标来，而且功耗低的多，但做不到那么好，比如12b的sndr做到65，而adi都是70之上，综合一下大家的看法，选择bipar主要是喜欢它的高增益和匹配好，另外个人认为还有高电压。

vdslafe · 发表于 2013-12-23 07:16:57

回复 11# adccoltd

能不能做的跟他们那么好，是看你电路功底了，会不会抠细节，累积了多少经验。跟工艺关系不太大，如果不是input buffer 这样的模快限制了线性度

adccoltd · 发表于 2013-12-23 08:03:21

回复 12# vdslafe

不完全赞同，bicmos做的运放增益不是40nm cmos能达到的，现在各大厂商的法宝是运放增益做很高，电容失配做工厂预校正，这样一是性能很稳定，而是客户使用方便，cmos要做只能电容和运放一起校，结果会差一些，用起来考虑的问题也较多，好处是功耗低，易于做soc

adccoltd · 发表于 2013-12-23 08:05:24

回复 12# vdslafe

所以我觉得大厂商热衷bicmos就是不愿意放弃高增益带来的简单稳定的校正方法

vdslafe · 发表于 2013-12-23 08:29:39

好吧，你赢了

hszgl · 发表于 2013-12-23 19:20:55

学习学习~

jxjxhwx · 发表于 2013-12-25 00:07:43

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chaojixin · 发表于 2015-3-4 08:56:37

回复 13# adccoltd

请问工厂预校正是指什么啊？

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