晶振测试与仿真结果有较大出入的问题

尘下之尘

设计了一个26M的晶体振荡器，pierce结构，放大器为反相器结构，设计阶段负阻仿真和tran仿真都是没问题的，但目前的测试结果来看，放大电路的驱动能力远远小于仿真值， 直流偏置点没有问题，I ,O 到power ，ground的阻抗也没有问题，C1，C2为内收电容，控制电容的开关管阻值控制在100ohm以内，后仿真的负阻值也是正常的，下面还能怎样debug定位原因呢，求大侠们指教！

lwjee

放大电路的驱动能力远远小于仿真值,可能是放大器没有很好的ESD保护，部分击穿；也可能是电流把金属烧坏了，应该注意layout。

jiang_shuguo

你测试和仿真中驱动能力你是用什么衡量的？

尘下之尘

回复 3# jiang_shuguo


    仿真中就是根据gm=0，到gm=无穷大的那个半圆极坐标图，在负阻达到极值时---就是gmmax，这个时候对应的的是circuit负阻最大的情况，在设计阶段，把驱动能力做了4个档位，在驱动能力最强的档位，负阻达到最大值，摆幅也是全摆的。但从测试结果来看，驱动最强的时候摆幅达不到全摆，低了将近0.2V;

尘下之尘

回复 3# jiang_shuguo


    测试阶段，C1，C2增大的话停振，比如在gm00档仿真阶段C1，C2挂到15pF没有问题，但测试阶段挂到5p+就不行了！

尘下之尘

回复 2# lwjee


   感谢提醒， 从目前的测试结果来看，O，I 两端的ESD确实有些问题，不过驱动强度的趋势并没有改变，随着驱动强度的增强，可以驱动的C1，C2的值也是增大的，只是没有大到设计预期！

jamesccp

测试时候，使用示波器了吗？或者说，有没有考虑测试仪器引入的额外负载？

尘下之尘

昨天晚上测了下，bonding线和PCB走线会在O I 两端引入8pF的寄生电容，如果把这个考虑进去，倒是可以一定程度的解释这个问题，设计的时候没有考虑这么大的寄生，一般做XOSC的时候会把这部分寄生电容考虑进去么？  感谢大家的指导！

chiredexin

尘下之尘 发表于 2013-11-27 13:51
回复 3# jiang_shuguo

你好，我想请问一下，你说的：”仿真中就是根据gm=0，到gm=无穷大的那个半圆极坐标图，在负阻达到极值时---就是gmmax，这个时候对应的的是circuit负阻最大的情况，“

这个应该怎么仿真呢？