关于一个EEPROM cell的工作原理

afujian · 发表于 2013-11-21 17:10:09

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如图所示，最近看到一个EEPROM的存储单元，但一直不太明白为什么用两个MOS cap接到存储管上，如何实现写和擦功能的，请大侠指教!!不胜感激！

hszgl · 发表于 2013-11-21 19:59:13

画的真难看。既不是示意图也不是结构图。。。而且还有相当的misleading。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-11-21 20:09:36

回复 2# hszgl

你说我时态没有和少东西，你帮我看看，我没发现啊

afujian · 发表于 2013-11-21 20:24:32

回复 2# hszgl
能否讲讲misleading在哪里？另外如果把那两个mos cap换成电容的符号，是不是就能代表这个cell的模型了？

hszgl · 发表于 2013-11-21 20:33:09

回复 4# afujian

eeprom mos上有两个栅，一个浮栅，一个控制栅，控制栅和sub会形成一个mos电容，浮栅在靠近有源区的其中一侧有个微小的区域里栅氧更薄，所以形成一个图上所示的tunnel mos cap。这个图是想表达的这两个电容，但是画成这样会让不了解的人以为是三个mosfet构成一个eeprom。。。

afujian · 发表于 2013-11-21 21:30:45

本帖最后由 afujian 于 2013-11-21 21:31 编辑

回复 5# hszgl 但是如果仅仅是想表达电容的话，为什图中明确标出两个引出点 control node 和 tunneling node，这是不是eeprom cell结构的一种？

hszgl · 发表于 2013-11-21 21:47:51

回复 6# afujian

control node 是要接电位的，tunnel node事实上就是mos的S/D。在没有eeprom工艺支持甚至只有1层Poly的情况下，这样弄也是可以的。但是foundry不会帮你保证yield

ericking0 · 发表于 2013-11-22 08:38:18

回复 5# hszgl

其实single poly e2就是这样的

hszgl · 发表于 2013-11-22 12:26:01

回复 8# ericking0

你说的没错，1P的E2就是这样，但是我觉得1P来做E2只能是很无奈的做法，这个时候对E2的能力要求不能太高了。

ericking0 · 发表于 2013-11-23 13:56:25

回复 9# hszgl

我觉得LZ的原理图的样子，LZ十有八九就是只有那么几个bit的E2，工艺应该就是1P E2的工艺了

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