注入区做大一些有什么用？

istart_2002 · 发表于 2013-11-14 09:38:37

本帖最后由 istart_2002 于 2013-11-14 10:06 编辑

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please provide more information on your library PDK related to the two ...
wfcawy 发表于 2013-11-13 22:05

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要有PDK的文档，可能就不发帖问了~你需要什么信息~

hszgl · 发表于 2013-11-14 12:36:35

如果是两个不同的器件，仿一下结果如何？我怀疑你是不是漏了某一层？

istart_2002 · 发表于 2013-11-14 16:12:58

如果是两个不同的器件，仿一下结果如何？我怀疑你是不是漏了某一层？
hszgl 发表于 2013-11-14 12:36

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应该没有吧

hszgl · 发表于 2013-11-14 21:08:43

回复 13# istart_2002

从这上面看，确实没有。从工艺上讲这两个管子没有区别。

istart_2002 · 发表于 2013-11-15 15:03:54

回复 istart_2002

从这上面看，确实没有。从工艺上讲这两个管子没有区别。
hszgl 发表于 2013-11-14 21:08

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一个是三端器件，一个是四端器件。

nool · 发表于 2013-11-19 10:55:54

esd consideration?
MOS2 has a better esd performance

hszgl · 发表于 2013-11-19 11:41:14

本帖最后由 hszgl 于 2013-11-19 11:44 编辑

回复 15# istart_2002

mos管都是四端器件。说mos是三端器件的可以回去重读了。pdk里你看到的那个三端，实际上是默认把B极接到电源或地了，而不是没有。这说明这两个管子并未有所不同，可能只是在做pdk的时候画版图的人顺手把diffusion画大一点，也可能是为了区分方便。

hszgl · 发表于 2013-11-19 11:45:03

回复 16# nool

敢问少侠何出此论？

nool · 发表于 2013-11-19 16:56:34

what's the name of each layer?
Is the pink one nwell? The gate poly is not enclosed by the implant?

istart_2002 · 发表于 2013-11-20 16:08:27

回复 istart_2002

mos管都是四端器件。说mos是三端器件的可以回去重读了。pdk里你看到的那个三端 ...
hszgl 发表于 2013-11-19 11:41

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那这样说？电路里显示三端的器件，电路里显示四端的器件？？？

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