器件dummy如何处理？

cllideboy · 发表于 2013-10-20 16:46:44

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请问大家：再给MOS器件周围添加dummy时，dummy器件的四端怎么处理？
（1）dummy器件的一极与有用器件（多个finger）的一极重合，其他三极怎么接，特别是dummy的衬底？
（2）如果dummy器件的一极不和有用器件（多个finger）的一极重合，这样dummy的poly到有用器件的最外的poly的距离与有用器件的之间的poly距离就不一致，网上说会导致刻蚀误差，但是这样的dummy的四端连接好处理。
基于上面两种做法的矛盾，不知道怎么去处理？望路过的高手指点？先谢谢了...

terry8876 · 发表于 2013-10-20 22:25:24

个人觉得第一种好，DUMMY与旁边器件是合并共用源/漏的的吧，那么DUMMY三端（G、D、S）都连到合并的那一极上，DUMMY肯定和器件同类型管子撒，那么衬底也就是一样的了噢。
第二种情况是会导致刻蚀误差，因为间距不同，但这种有时方便连线，尤其是在MOS管长度很小的情况下。

cllideboy · 发表于 2013-10-21 22:17:41

回复 2# terry8876

你好！针对你说的第一种好。如果是合并的那一极都是接电源，那很好。如果不是呢?那就相当于dummy器件的G ，D，S三端接在一定电压上，衬底接到电源上（一般衬底都是接电源吧，我这么认为的），那这样是不是不安全呢？

terry8876 · 发表于 2013-10-21 22:40:39

回复 3# cllideboy

你说的情况，MOS管就算开启没有电流流过，S、D电压相同，做电容也不是，所以就是一个DUMMY了。

cllideboy · 发表于 2013-10-22 23:06:57

回复 4# terry8876

恩，明白了。非常感谢你的回答。希望有机会多多交流。

LDJK · 发表于 2013-10-24 11:16:51

回复 4# terry8876

这样的接法会增加信号的寄生。需要match的mos做成mult好一点。

simonjin · 发表于 2013-10-24 12:23:37

Dummy用source与有用管重合。 D,G都接到S上保证管子永远处于关闭状态。

ellaisbest · 发表于 2013-10-24 13:31:31

这个要看加的是什么电路的dmy.如果给差分对加dmy,那么共享common端，应该差分对的source 是低阻节点。（dmy的加入会引入寄生，所以可以选择的情况下加在低阻节点上）。另一种情况是给current source 加dmy, 此时dmy的gate可以接在电流源的bias上，源漏接电源或地，这样dmy相当于耦合电容，而不是完全没有功能的管子。

semico_ljj · 发表于 2013-11-1 22:09:48

接 gnd

cllideboy · 发表于 2013-11-2 11:26:41

回复 8# ellaisbest

对于你说的第一种情况：给差分加dummy,是接低阻端（我不知道你为啥要说低阻端，是为防止该电阻和dummy组成一个低通滤波器吗？）可如果当差分管子的finger为奇数时，差分管一般都是公共source端，那么dummy只能和差分管的drain端重合，没法做到你说的和低阻端相接。不知道我这样理解对不对？

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