美国加州大学洛杉矶分校(University of California Los Angeles)A.Abidi领导的研究小组,将发表可在1V的低电压下运行、分辨率达10位、转换速度为160M采样/秒的高性能A-D转换器(发表编号: 25.2)。为了克服低电压运行的难题,采用了称为串并联式(Subranging型)的架构。耗电量为84mW。
美国麻省理工学院(Massachusetts Institute of Technology,MIT)将发表内部结构为管线式、同时又不使用运算放大器的A-D转换器(发表编号 25.5)。分辨率为8位,转换速度为200M采样/秒。设计工艺为180nm的CMOS技术。(记者:堀切 近史)