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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog Layout（版图） › Layout讨论区 › 关于guardring的用法 大神们
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查看: 10415|回复: 3

[原创] 关于guardring的用法 大神们

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后世冰冰
发表于 2013-9-29 14:32:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如果是电阻的话，基本上是用P扩散层包围保护还是N扩散层包围保护？求答案并且解释原因
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lingchention
发表于 2013-10-3 14:13:22 | 显示全部楼层
这个还是要看的电阻类型，不能一概而论。就拿简单的P型掺杂POLY高阻，你外接N型GR，然后接VDD接高，这样你自己可以看到一个反相的二极管，减少外界对电阻的各种干扰都是非常好
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simonjin
发表于 2013-10-11 09:14:50 | 显示全部楼层
个人认为可以加两层，里面那层N接vdd，外面一层P接地。
除了电阻，这个同样适用于功率管
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hadeheng
发表于 2020-4-16 13:27:12 | 显示全部楼层
楼上正解。
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