这个结构会因为天线效应而击穿吗？

pigintree · 发表于 2013-9-26 15:15:21

回复 10# bluesmaster

求指教~
什么地方没说清楚？
失效问题我刚接触，很多还不懂

蓝风紫心 · 发表于 2015-9-24 10:30:14

这样做不是不行，要视情况而定。如果这个poly电阻放在靠近MOS管的Gate端，长度为L2，这样将连接到Gate的大面积的metal分成2段（L1+L3，L1接MOS管poly）。如果L2>>L1/L3，或者L2长度与L1、L3相当的话，这样靠近MOS管的metal长度L1就很短，metal上面积累的电荷就很少，就不会将gate oxide层击穿，天线效应也就没有了。如果L2<<L1/L3，这样靠近MOS管的metal长度L1就很大，metal上面积累的电荷就很多，就会将gate oxide层击穿，天线效应就没有消除。

xiuqi180 · 发表于 2015-9-25 17:27:44

学习了。。。。。

semico_ljj · 发表于 2015-9-25 22:45:26

学习。。

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