GGNMOS的几点疑问？

ygyg100 · 发表于 2013-9-9 13:54:04

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最近在看ESD，有几个问题请大大们指点一下：
1、对于.35以下的工艺来说，NMOS源漏之间“击穿”时，是先发生punchthrough，还是雪崩击穿？
2、GGNMOS的snapback在电压够高时一定会发生吗？还是有一定的条件？
3、snapback与punchthrough和雪崩击穿有什么关系？发生的先后顺序是怎样的？
谢谢了!

ruinsnku · 发表于 2013-9-14 09:56:57

根据本人对ESD浅薄的理解，回答如下：
1、对于.35以下的工艺的NMOS来说，其源漏击穿电压一般低于9V。一般当源漏击穿电压在6Eg/q以上，即6.72V以上时，源漏击穿主要是雪崩击穿引起的；当源漏击穿在4.48~6.72V之间时，源漏击穿是雪崩和punch两者的混合；当源漏击穿在4.48V以下时，源漏击穿主要由punch引起。（参见施敏的半导体器件物理P79）
2、一般情况下，会发生，除非管子很弱，在进入snap-back之前，已经扛不住被烧毁了。GGNMOS的工作机理主要是基于寄生的NPN效应，在漏端反向PN结被击穿后，只要这个电流在体电阻上的压降达到体源两端构成的PN结的正向导通电压0.7V以上，就会进入snap-back。
3、snap-back主要是源漏击穿之后，在体电阻上的压降达到0.7V以上时发生的，这与源漏击穿是由那种击穿机制引发的没有太大关系。

如有错误，欢迎指出。

colnie · 发表于 2013-9-21 09:43:08

跟着学习一下！

sunjimmy · 发表于 2013-9-21 16:32:58

snapback的產生是因為 NMOS下寄生的 parasitic lateral BJT 導通.
要trigger這個parasitic lateral bipolar 導通是先透過 N+ diffusion 與 P-substrate 間 PN junction 先breakdown, 此breakdown current 流進 substrate 進而 trigger parasitic lateral bipolar 導通,進入snapback.

在進入snapback前, 必需確保N+ diffusion 與 P-substrate (p+ guradring) 間不能燒毀. 這也就是為何在I/O PAD中, GGNMOS 與周圍 P+ guardring 有必需遵守的ESD rule.

fashion612 · 发表于 2013-10-14 10:47:20

顶一下

yaofei618 · 发表于 2013-10-15 17:52:45

2楼说的

对于.35以下的工艺的NMOS来说，其源漏击穿电压一般低于9V。一般当源漏击穿电压在6Eg/q以上，即6.72V以上时，源漏击穿主要是雪崩击穿引起的；当源漏击穿在4.48~6.72V之间时，源漏击穿是雪崩和punch两者的混合；当源漏击穿在4.48V以下时，源漏击穿主要由punch引起。（参见施敏的半导体器件物理P79）

有点问题。书里指的是雪崩和隧穿的区别。隧穿和punch还是不一样的。 punch是NPN或者PNP中两个结的耗尽区接触了发生punch。

yaofei618 · 发表于 2013-10-15 18:01:03

对于NMOS中寄生的npn来说，假如L很大，大到NPN的电流增益b小于1时，是不会snapback的。如果L较小，b大于1，会发生snapback。 Vpunch和Psub的浓度和L的大小有关系，而Vbr和Psub的浓度有关系。所以如果L较小，会先punch。

ruinsnku · 发表于 2013-10-20 22:07:38

回复 7# yaofei618

嗯，的确是这样，看书不仔细啊~~

dengxj123 · 发表于 2013-12-21 18:25:32

顶!!!!!!!!!!!

sgf614 · 发表于 2017-11-16 16:23:59

回复 4# sunjimmy

真棒，解释的透彻

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