有了解TI工艺的吗？0.35um的

frankobvip · 发表于 2013-9-5 11:05:52

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0.5um CSMC 的工艺中 kp=30～40u，但是sansen书上第7页 0115 给出的0.35um标准工艺中 kp=300u，kp为pmos管与工艺相关的参数，两者差距这么大？那么TI的工艺kp有朋友知道大约为多少吗？3q

frankobvip · 发表于 2013-9-5 16:18:35

别的工艺呢，别的0.35工艺的参数能给个参考吗？

math123 · 发表于 2013-9-5 16:28:58

以前粗略算过的0.5um工艺参数

CHARTER

nmos K=1.3e-4
pmos K= 4e-5

UMC

nmos K=1.1e-4
pmos K=3.7e-5

至于TI的工艺，可能好20%，30%，不知道。。

semico_ljj · 发表于 2013-9-5 18:50:19

实际没有这么大的差异两个数据其一必有问题

zhang209a · 发表于 2013-9-20 12:37:25

一代工艺一代模型，线宽一样的参数应该在一个数量级

math123 · 发表于 2013-9-20 12:54:55

本帖最后由 math123 于 2013-9-20 13:14 编辑

这些国外专有的工艺厂有时真的觉得会性能高些。
例如bandgap，都是PNP管做的，但就是换遍了工艺在TT情况下也调不出零温度特性。
一样是CMOS工艺，但跑下PVT发现有些管子会亚阀值漏电影响性能，但原工艺不知道会否这样，
有些参数随MOS VTH温度和conor变化大得吃惊，但原来的设计就是这样。。

lulinchen · 发表于 2013-9-20 20:24:52

嘿嘿楼主在抄ti的片子

luckyhuihui666 · 发表于 2013-9-21 02:21:06

抄片子抄的也太仔细了。还是按照自己工艺调试吧，抛弃掉TI的工艺自己做，参考结构就行了。当然有些结构式依赖于工艺或者说这个工艺采用这种结构，不过我觉得这种情况很少很少。抛弃所有，以我为主。

朱立平 · 发表于 2013-9-21 07:32:38

建議要學會自己設計分析電路抄不是長久之計

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