高速LVDS的负载电容

microstudent · 发表于 2013-9-4 09:51:41

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最近在设计800MHz LVDS link, LVDS driver的负载电容一直按20pF估计的。看到一个TI的产品(CDCLVD1208)，它的上升/下降时间在300ps以内的条件是5pF的负载电容。

所以假设我的在PCB板上的走线在4cm以内，LVDS driver的输入信号直接接FPGA，多大的负载电容是比较正确的估值呢？谢谢大家！

jamesccp · 发表于 2013-9-4 16:52:09

300ps的上升时间，带宽大概1G多点，在PCB(Er=4.2）上，1G波长大概150mm，15mm以上的长度应该看做传输线模型.
个人觉得5p合适的，20p太over design

semico_ljj · 发表于 2013-9-4 19:26:25

实际5-10pF 已经很大了
20pF
确实过了点

xiaoshao · 发表于 2013-9-14 15:06:58

嗯，这个值是比较大

zhenli888 · 发表于 2013-11-29 19:43:50

想知道从理论上怎么解决

Heller_sun · 发表于 2016-6-14 10:21:46

搂住好人

semico_ljj · 发表于 2016-6-14 10:28:16

继续啊。。。

boy1234 · 发表于 2018-9-10 09:10:22

了解，了解

twfly · 发表于 2021-6-5 23:39:53

学习了学习了

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