wpe效应的一个疑问？

cyl

<Implications of Proximity Effects for Analog Design> 论文google即可得；其中fig 1如下；


问题：
离子注入的目的是形成well吗？还是形成mos的源和漏？不是说“扩散形成深结，注入形成浅结”吗？
请高人指教！多谢！

fuyibin

回复 1# cyl

现在工艺中，doping都用implant做，只是注入的能量和剂量的不同形成不同结深和浓度
我想主要是如果用扩散的方法，横向扩散不好控制，没法用在比较先进的工艺
1um/0.5um有用扩散，似乎0.35um就开始用离子注入

cyl

回复 2# fuyibin


    谢谢回复！请问你对WPE了解吗？这效应到底是发生什么时刻？在well的离子注入时还是源漏的离子注入时？

fuyibin

   

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    谢谢回复！请问你对WPE了解吗？这效应到底是发生什么时刻？在well的离子注入时还是 ...
cyl 发表于 2013-8-28 16:45

                               
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当然是well注入的时候产生WPE effect，否则也不叫WPE 了是吧，呵呵

cyl

回复 4# fuyibin


    有道理！但是源漏是不是也能看成是一个小的well呢？
   还有在psub上做nmos是不需要阱的吧，只有做pmos才需要先做一个Nwell。那为什么Nmos和pmos都有wpe效应呢？想不懂啊，请指教！

fuyibin

   

回复  fuyibin


    有道理！但是源漏是不是也能看成是一个小的well呢？
   还有在psub上做nmos是不需 ...
cyl 发表于 2013-8-28 16:54

                               
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呵呵，这个也是我多年之前突然明白的
这个要对工艺熟悉，也就不难理解
其实很简单，注入能量不一样
由于well比较深 1um以上，需要比较大的注入能量，而S/D是浅结，100nm左右,注入能量很小
离子束能量越高，速度越快，打在阻挡层边沿的散射越严重
而S/D注入的散射要效应就会小很多，至少现在没有观察到
如果有观察到，foundry应该会做到model里面吧
呵呵，以上都是个人理解

cyl

回复 6# fuyibin


    十分感谢你的耐心讲解！
    但还是有一点不明白：按道理讲应该pmos才有wpe效应，Nmos没有well，所以nmos应该没有wpe效应吧？

fuyibin

   

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    十分感谢你的耐心讲解！
    但还是有一点不明白：按道理讲应该pmos才有wpe效应， ...
cyl 发表于 2013-8-28 17:39

                               
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    现在都是双井工艺，PMOS sit in nwell, NMOS sit in pwell，
但是通常来说大家不画 pwell，用nwell的反版做pwell，
但是有些时候会画pwell的

cyl

回复 8# fuyibin


   明白了!谢谢你的帮助！   感觉自己作为设计人员对版图了解太少了，以前看过的版图的资料或多或少都过时了。
  能不能请你推荐一些介绍现代版图的资料？谢谢！

ygchen2

   

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   明白了!谢谢你的帮助！   感觉自己作为设计人员对版图了解太少了，以前看过的版图的 ...
cyl 发表于 2013-8-28 21:07

                               
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对工艺的了解不够应该是主要原因。。。