关于hot well或不同电位阱的间距问题请教。

tuohong · 发表于 2013-8-27 17:23:10

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有经验说hot well比cold well的间距应该更大。
以及design rule上一般规定不同电位阱的间距也比较大，并且往往有经验工程师在不同电位阱之间加ptap（以nwell-psub工艺为例）做隔离，请大虾能否给个明确的解释为什么要这样做？有何潜在风险？是为了防止什么效应？

FutureX · 发表于 2013-8-27 22:05:15

hot well 表示是 NWELL不等電位放在一起會形成 NPN寄生結構如果瞬間兩個NWELL間的 Psubstrate電位往上彈或是瞬間某一個NWELL電位往下拉會形成寄生 NPN 導通如果NWELL截面積很大衝過去的電流會很可觀這是很危險的要拉開距離

tuohong · 发表于 2013-8-28 17:41:40

请原谅一个我的低级问题，拉开距离在原理上是从哪方面降低NPN导通风险的？

11111qqqqq · 发表于 2013-8-28 18:55:52

讨论得很深入，学习了

zoujunlin · 发表于 2013-8-29 01:47:22

回复 3# tuohong

好比一个NPN的三极管，基区拉宽了，增益就降低了，即便偶尔触发导通，只要不形成正反馈，最终也会截至

heeda · 发表于 2013-8-29 09:00:55

增大R....

kalahara · 发表于 2013-8-29 09:13:48

回复 2# FutureX

我之前还觉得可能会有潜在的场开启的风险，
这个解释说得长见识了，谢谢

tuohong · 发表于 2013-8-29 13:21:48

其实这里边一直有一个问题在困扰我，即在一个特定的工艺下，这个寄生三极管的增益能否出现小于1的情况；在这个问题中所提到的寄生NPN也还罢了，假设推及到一个PNPN的LU结构，我理解只要β乘积大于1，那么无论是1.5还是150，在上电的情况下，同样的trigger电流都会造成latch up的导通；如果β能够通过拉开距离达到小于1，fab一定会给出具体的尺寸的，这个对LU是绝对的安全值。
所以我总是想不清这里边的道理，只是觉得常规工艺下β似乎没有能达到小于1的情况，作为layout人员实在是不懂电路了，请楼上和各位高手不吝赐教，我也自己去找找书看。

luntan__yong · 发表于 2013-8-31 13:54:35

在某些情况下是可以适当偷一点规则的

zjwumei · 发表于 2013-8-31 17:54:08

想尽办法破坏潜在的寄生效应...
画图只能修改几何结构，通过控制横向参数：避免出现寄生器件（比如寄生的mos）；对于npn或者pnp这种天然存在的东西，破坏其基本功能，通过配电的方法，或者破坏base的基本功能（扩大base的厚度，使收集区无法收集到少子）；同时还要注意避免发生击穿……抛砖引玉
对于不同的供电系统，解决问题的思想是相同的，但是具体的数值一般不会相同。

[求助] 关于hot well或不同电位阱的间距问题请教。

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