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[转载] 半导体巨头抢入20纳米 设备厂新一轮抢单

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发表于 2013-8-27 17:02:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代,设备厂也展开新一波的抢单计划。


  在应用材料于其SEMVision系列设备上引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜(DRSEM)技术后,另一设备大厂科磊(KLATencor)21日宣布,同步推出新一化光学及电子束晶圆缺陷检测系统。随着两大设备厂已抢进台积电及英特尔供应链,对于国内设备厂汉微科来说竞争压力大增。

  虽然半导体市场下半年景气能见度不高,但是包括台积电、英特尔、三星、格罗方德(GlobalFoundries)、联电等大厂,仍积极投入扩充新产能,尤其是明年将相继跨入20纳米,后年则会进入16纳米或14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)世代,也因此,国内外设备大厂已积极布局争取商机。

  在晶圆缺陷检测设备市场上,国内设备厂汉微科靠着电子束检测设备打响名号,现在已经打入台积电、三星、英特尔等大厂供应链。由于缺陷检测攸关制程良率的提升速度,国际大厂如应用材料、科磊等,也已在光学及电子束检测设备市场推出新一代产品,同样也获得台积电、英特尔等大厂青睐及采用。

  应用材料已在其SEMVision系列设备上,推出一套最新缺陷检测及分类技术,该设备的缺陷分析系统结合前所未有高分辨率、多维影像分析功能,及革命性创新的Purity自动化缺陷分类(ADC)系统高智能的机器学习算法,同时为半导体产业引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜技术,并可支持到10纳米制程。

  科磊昨日在科技论坛中宣布推出采用NanoPoint技术的光学晶圆缺陷检测平台及新型eDR-7100电子束晶圆缺陷检查系统。科磊两此大平台可以相互支持,可以迅速发现和可靠识别影响良率的缺陷,透过缺陷侦测并成像位于3D或垂直结构如FinFET底部的独特缺陷,在最短时间内拉高制程良率。

  法人表示,虽然汉微科在各大半导体厂的电子束缺陷检测设备市场占有率仍高,但应用材料及科磊大动作进行卡位,尤其在现有光学缺陷检测设备平台上增加支持,降低晶圆厂成本,的确会对汉微科造成竞争压力。
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