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查看: 2756|回复: 4

[求助] 请教一个 LDO 环路仿真的问题

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发表于 2013-8-24 12:39:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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无标题.png 无标题.png
请教一下,我在仿真 LDO 环路增益和相位时候,用了上述两种方式。看的都是节点 netA 对VIN的增益和相位关系
但是仿真下来得到的增益曲线不同。请问是什么原因
我感觉这两种给激励的方式得到的结果应该是相位关系差180度,增益关系应该是一致的,但是结果为什么不一样。
发表于 2013-8-24 14:34:07 | 显示全部楼层
上述第一章圖的OP的正端要用DC=1.2 bias
发表于 2013-8-24 17:56:09 | 显示全部楼层
第一种是不对的
第二种的RC组成的电容为了阻高频,通直流,达到接受直流反馈信号且阻断高频反馈信号之目的,第一种缺少类似机制。
发表于 2013-8-25 06:53:13 | 显示全部楼层
赞同楼上观点。运放的输入本来就是高阻,第一种只是再串联了一个高阻,没有电容,高频信号仍然可以通过。第一种也需要加上大电容阻断高频。
 楼主| 发表于 2013-8-25 20:43:59 | 显示全部楼层
无标题.png 回复 3# lihaiqi208
谢谢
你说的意思应该是通过图示网络,将va交流信号在netB点通过电阻和容抗的分压达到netB点的交流信号衰减到近似为0从而能达到阻隔交流信号的作用吧。
那么图1中在运放正端加上一个对地的容值相对较大的电容应该就和2图效果一致了吧。因为本身运放的输入端就有对地的寄生电容,应该可以削减掉一部分交流信号,可能是因为寄生容值太小所以削减幅度有限的原因吧。
非常感谢各位!!
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