为什么smic65nm和55nm的工艺中只有mom电容没有mim电容？

xinshuiren · 发表于 2015-12-1 17:04:22

学习学习

i0977454522 · 发表于 2016-2-2 17:44:02

感谢您的回答，我也是这么做的，可是run lvs就是提示cells not be identified，Nothing in layout！
我是这么设置的首先我在TF中定义了5层layer DUM，DUM1~DUM4。在LVS中添加对应的layer MAP，我想做m1和m1间的插值电容MCAPX1，上极板MTP1使用DUM1和M1识别，下级板MTN1使用DUM和M1识别，电容识别layer MTL：DUM1 AND DUM; m1m2叠加在一起与m1m2叠加在一起间的电容MCAPX102，上级MTP102：DUM1，DUM2和M1，M2 ，下级MTN102：M1 M2 DUM，简单编写如下：

艾伦耶 · 发表于 2019-4-26 10:30:54

MOM 是tsmc的说法： metal oxide metal , 就是同层2根metal route之间oxide之间形成的cap，
可能任何工艺都有这个cap，不需要增加额外的MASK

MIM ： metal insulator metal，这个在Analog、RF工艺里面才有，用来做高精度的cap，
由Mtop和mtop-1 之间垂直方向形成， logic工艺是不提供的，
MIM的2层metal 特别厚，一般是下面的好几倍甚至是10几倍.需要多加一层MASK MCT什么的，MASK是按层收费。而且如果后期量上来了，多一层MASK意味着多一道或者多道工序，每片wafer的成本也会相应提高

艾伦耶 · 发表于 2019-4-26 10:34:54

单独提取mom的时候要加个其他器件，电阻或者mos管都可以。不然就是会Nothing in layout！。还有有些rule里面并没有mom的提取和计算规则。

swallow8666 · 发表于 2019-9-6 19:47:09

本帖最后由 swallow8666 于 2019-9-6 20:00 编辑

mom不需要加mask，mim需要加mask，mom提取后仿电容值时model不准，适合不需要绝对值太精准的电容，mim电容值提取较为准确。

chungming · 发表于 2019-9-7 15:53:01

The accuracy and matching of MIM and MOM is near the same, especially on the advanced process.
But the MOM needless extra Mask.

andy2000a · 发表于 2021-1-25 09:07:40

MIM 要多 mask , 单位面积电容高, 耐压 <15v , metal- metal 间多道 mask 让距离变小单位电容会拉高 .

MOM 不必多mask , 单位面积电容很小, 耐压高些 mom 就一般IC 两层间寄生电容 . 有些mom 工艺就看 ic两个 metal间耐压可到 ~200v .. 如果 UHV500v 以前看过 M1-m2 间 >400v 会出问题 , 500V uhv 有 metal–metal2 不能跨越问题 . VIS 高压看过mom 可到 200v.

如果 ADC cap 有些用 mom每个 cap可小 <50f下, mom可以做, 但 momcap 版图得layout fish-bone增加电容 , 要自己建模 .

65nm 下是否可能 metal 间是否更近? 寄生电容变大?? 没用过 90nm下. 0.25一般 mim mom都会有0.35um 上都只 pip

lnxmj · 发表于 2022-8-9 21:32:59

Good Luck

mumumumumumu · 发表于 2022-11-29 18:59:59

请问一下smic65的库library里面没有category是怎么回事？您有这种情况吗

liuzhuozhuo · 发表于 2024-4-22 21:25:22

请问大神有smic55nm库吗？打扰您

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