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[求助] 求问SMIC55nm的普通工艺和RF工艺有什么差别啊?

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发表于 2013-8-6 23:36:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在SoC中需要集成AD与PLL,上一版用的smic0.13um mmrf的工艺,普通的与RF的都是同一种工艺。这一版改用55nm的,普通的与RF的就分开了。但是因为PLL必须要用RF的工艺,所以AD也只有跟着用RF的工艺了。AD的采样率是100M,还远算不上RF吧,这样做会对AD的性能有什么影响吗?想请教一下55nm普通的和RF的工艺具体的差别主要在哪些方面啊?是spice model有差别吗,还是DRC的时候会不一样啊?求大牛指导。
发表于 2013-8-7 09:02:35 | 显示全部楼层
工艺设计都是 LL -->   mixed  --> RF 是一级一级加上去的。如果你设计中未用到RF 的device,就是和LL 的base 一致。
你可以SMIC的CE 或者AE 联系获得更多消息,或者看看文档里面是否有相关内容。
SMIC的文档描述一直是个问题,但是国内的设计者也没有看文档的习惯,共同努力互相促进吧。
发表于 2013-8-11 21:41:53 | 显示全部楼层
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