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楼主: keero

请教

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 楼主| 发表于 2004-6-11 18:02:44 | 显示全部楼层

请教

他只有三个文件,
.inc
.lib
.skew
datasheet没有
发表于 2004-6-18 18:33:15 | 显示全部楼层

请教

一个好的模型文件,W和L的大小肯定要限制的(除非是0.5um以上),否则,这个模型文件肯定不准确。(这与工艺生产和模型文件提取的近似的原理有关,虽然我也不是很懂,但肯定没错)
对于W和L都基本上固定的情况,多数出现在数字工艺中。对于mixed-signal工艺,常常采用分段提取模型文件的方式。
个人意见,仅供参考。
 楼主| 发表于 2004-6-19 09:02:24 | 显示全部楼层

请教

不怀疑模型文件,只是不知道怎么处理这种情况。算电路的时候只是scale w 和 l, 现在不能调整,不是没有办法实现了吗?
发表于 2004-6-20 15:54:53 | 显示全部楼层

请教



下面引用由boris2004/06/18 06:33pm 发表的内容:
一个好的模型文件,W和L的大小肯定要限制的(除非是0.5um以上),否则,这个模型文件肯定不准确。(这与工艺生产和模型文件提取的近似的原理有关,虽然我也不是很懂,但肯定没错)
对于W和L都基本上固定的情况, ...

支持boris的意见,可以用串并联来解决W和L的问题.
并联W相加,串联L相加
 楼主| 发表于 2004-6-22 21:49:19 | 显示全部楼层

请教

串联的就s连d,g连在一起吗?
这样不成啊。
发表于 2004-6-22 22:14:07 | 显示全部楼层

请教

是这样子呀
怎么不行
发表于 2004-6-22 23:04:33 | 显示全部楼层

请教



下面引用由atuhappy2004/06/22 10:14pm 发表的内容:
是这样子呀
怎么不行

呵呵,有点影响了
就是vt变化了,因为串连地transistor每个vsb不同了
也许这个影响不大,
关键是看mod是如果处理这个问题了
根据simulation的结果,对于w=10和w=1,m=10这两种结果还是有些差异的,特别是对高频,因为寄生电容大大的不同.
 楼主| 发表于 2004-6-23 16:20:04 | 显示全部楼层

请教

嗯,知道了,vth变化了。
我用在低频范围里面,我再试试看。
多谢斑竹!
发表于 2005-7-31 09:58:25 | 显示全部楼层

请教

keero  你好!能把那个三星的.18um的model 发给我一份吗!我找这个MODEL已好久了!随便问一下,在那些地方可以下到基于某种工艺的RF MODEL!谢谢了!我得邮箱是hongboma04041004@126.com
发表于 2008-4-8 17:28:17 | 显示全部楼层
串联的时候影响很大吧,两个vdsat呢。
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