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查看: 10944|回复: 8

[讨论] MOS管串联的等效宽长比

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发表于 2013-7-30 18:49:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教一下,如果多个MOS管串联(W和L均一样),它的等效沟道长度是n*L吗?
发表于 2013-7-30 21:27:18 | 显示全部楼层
基本可以这么理解 略有不同
发表于 2013-7-31 17:30:26 | 显示全部楼层
如果工作在线性区,两者很接近吧。
发表于 2013-8-1 16:00:22 | 显示全部楼层
差不多吧
发表于 2013-8-2 07:11:12 | 显示全部楼层
如果是高精度应用,串联去做mirror之类不建议使用,因为只有最上边串联的pmos或者最下边串联的nmos状态正确,其他不正确,如果是亚阈值mirror之类,问题不严重。
发表于 2013-11-26 20:43:43 | 显示全部楼层
其实可以计算一下,如果是并联,情况很简单,串联的话,假设是两个PMOS,上面的PMOS工作在饱和区,下面的PMOS分成饱和区及线性区两种情况讨论,最终得出的结果是W/2L,忽略被栅效应。
发表于 2015-11-12 14:30:07 | 显示全部楼层
回复 6# wangzhen_8811


   忽略背栅效应是怎么得到的?
发表于 2015-12-30 18:11:02 | 显示全部楼层
回复 6# wangzhen_8811

他们的转移特性和输出特性上有什么区别吗
发表于 2022-7-29 10:24:41 | 显示全部楼层


wangzhen_8811 发表于 2013-11-26 20:43
其实可以计算一下,如果是并联,情况很简单,串联的话,假设是两个PMOS,上面的PMOS工作在饱和区,下面的PM ...


pmos的话,下边的管子如果导通的话,上边的管子应该只能在线性区吧

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