RTC温补晶振，晶振频率校正，电容校正频率误差。

andy2000a · 发表于 2013-9-29 13:56:52

本帖最后由 andy2000a 于 2022-3-3 09:08 编辑

一般會靠 simulation ..但是目前工藝

PIP or MIM 只有 typical model
跟本沒有 corner model

而且到底 temp 到底準不準 ??? 我們碰過 model sim 和 silicon 出來是差異不小
特別是 Bandgap circuit ..
同電路前一批和後一批就不同 .

=> use die by die trim design

wanglscool · 发表于 2013-10-10 20:00:37

wanglscool:

电容误差是肯定有的，要想做的精度高，必须在流片后进行调节的！！
中国发表于 2013-10-10 15:01

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调节的方案有吗？我设计了一个方案，但经过讨论之后，有缺陷！很纠结。。

lymrlym · 发表于 2013-10-12 08:34:58

这个产品很难做的，建议不要做了。电容的偏差是肯定有的，所以每个芯片都要测试校准。

wanglscool · 发表于 2013-10-12 14:16:54

这个产品很难做的，建议不要做了。电容的偏差是肯定有的，所以每个芯片都要测试校准。
lymrlym 发表于 2013-10-12 08:34

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这是我们现在的一个项目。爱普生做出来了，国内的一家公司好像也做出来了。。所以也想搞，如果毁约，显然不现实。。

jeffej · 发表于 2015-3-6 10:48:41

learning !!!

xuriver2012 · 发表于 2017-4-10 17:55:24

显然是需要每个芯片都进行FT测试的

[求助] RTC温补晶振，晶振频率校正，电容校正频率误差。

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