在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
12
返回列表 发新帖
楼主: HEXIAO

[求助] tsmc中nmos2v和nmos3v的区别

[复制链接]
发表于 2013-7-18 09:25:03 | 显示全部楼层
spice model 只是某些特定下做

3.3v ..當然代工場會拿 3.3v  實測去FITTING  
spice model ..

以前做過高壓 0.5um 40v  ..
你知道嗎
40v .  vgs ~ 40v  dual gate .
但是 real mos 量到是  40v ok ..
20~30 v  有SHIFT 一些

代工廠說他們一般是 fiiting 某些電壓
不可能 vgs = 1v .. 1v step scan ..
所以真的有差.

Ids current w=20um  ..你畫 100um  出來也是變差
  也是 model 不準.
发表于 2013-7-18 09:37:32 | 显示全部楼层
3.3V的nmos管用5V电压可能会出现仿真结果与实际测试结果出现很大的误差,而且击穿电压只有3.9V比较危险
发表于 2013-7-19 22:17:16 | 显示全部楼层
请问3.3V的mos管和1.8V的mos管最高耐压多少?一个是电源电压,一个是栅电压。
发表于 2016-1-11 14:40:38 | 显示全部楼层
3.3V的和5.5V的工艺参数不一样!
发表于 2020-8-21 21:56:14 | 显示全部楼层
3.3V的氧化层厚度应该会更高一点
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-2-2 18:03 , Processed in 0.018103 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表