闩锁效应

gogoll681 · 发表于 2007-1-29 12:57:29

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目录
1.引言
2.闩锁的概述
  2.1 结构上的起因和集总元件模型
  2.2 举例。悬空N阱结构中的闩锁问题
3.闩锁问题的描述
  3.1 阻塞态和闩锁态
  3.2 闩锁产生的必要条件
  3.3 触发方式
  3.4 触发方式分类
4.闩锁模型及分析
  4.1 早期的闩锁模型
  4.2 PNPN集总元件模型的发展
  4.3 闩锁的物理分析
  4.4 安全区-阻塞态的严格定义
  4.5 饱和区模型
  4.6 闩锁的图解说明
  4.7 集总元件模型的修正
  4.8 动态闩锁效应
5.闩锁特性的测量
  5.1 测量仪器
  5.2 两端特性的测量
  5.3 三端和四端特性的测量
  5.4 开关转换点特性的测量
  5.5 保持点特性的测量
  5.6 动态触发
  5.7 温度关系
  5.8 非电探针测量
  5.9 闩锁特性测量总结
6.闩锁的防止
  6.1 版图设计布局规则
  6.2 破坏双极特性的工艺技术
  6.3 双极去耦工艺技术
  6.4 CMOS的设计考虑
  6.5 无闩锁的设计
7.总结

louwf · 发表于 2007-1-29 19:43:16

挺好的，我喜欢！！谢谢楼主分享！！

moonfull · 发表于 2007-1-29 19:56:17

呵呵，我喜欢，感谢楼主！

e111 · 发表于 2007-1-29 20:10:32

多谢楼主!
正需要呢.

hfutuestc · 发表于 2007-1-29 20:51:47

好东西，顶一个！

yrb2008 · 发表于 2007-1-30 00:17:05

thanks for your information...

weijj · 发表于 2007-2-8 10:32:44

thank you !

bluebaby · 发表于 2007-2-10 00:20:05

521521

huh · 发表于 2007-2-12 04:24:35

呵呵，我喜欢，感谢楼主！

2006204155 · 发表于 2007-2-26 21:06:47

闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的。

闩锁效应

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