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关于Flash中写操作

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发表于 2007-1-18 19:31:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我的Flash中擦写块是64K大小,我先把64K擦除,从块起始地址写入32K的数据,完成之后,我接着上次写入的位置再写入32K的数据,第二次写的过程,它是把我先前写的32K读出来,然后擦除整个64K,在一次性写入64K数据么?还是直接跟着第一次写的32K数据写后来的32K数据?
发表于 2007-2-10 22:03:45 | 显示全部楼层
这个intel和amd的flash是可以单个字节操作了,只要不去覆盖操作就是直接写入了,不需要擦除原来的内容了。
发表于 2007-2-12 22:08:45 | 显示全部楼层
对的,可以直接写,不用擦除
发表于 2007-11-6 20:59:06 | 显示全部楼层
什么FLASH?不用擦除直接写?
落伍了难道?俺的Intel的28F系列以及Spanion的FLASH都是如楼主所说写之前要擦的啊!
发表于 2008-7-28 21:45:59 | 显示全部楼层
有没有写flash driver   方面的资料呀
发表于 2008-7-29 18:11:27 | 显示全部楼层

spansion flash

很可能是继续上次 32K 的位置继续往下写。

我对SPANSION FLASH 的擦写还是很清楚的

擦是将 FLASH 空间擦为 FFFF

写是写入自己的数据

写的过程是一个 WORD 一个 WORD 写的,

所以如果你使用的是  SPANSION 系列的 FLASH ,那么可以肯定是支持继续在32K位置继续写的

另外如果你使用的不是 SPANSION 的 FLASH ,那么从 DATASHEET 或者 驱动上很容易得到你的答案

[ 本帖最后由 llane 于 2008-7-29 18:13 编辑 ]
发表于 2008-8-13 21:25:04 | 显示全部楼层
好东西
歇息俄楼主
发表于 2008-8-24 19:09:57 | 显示全部楼层
very good@
发表于 2008-9-23 13:46:17 | 显示全部楼层

可以接着写的

为了提高效率,不用将整个的扇区擦除后再写,只要原始FLASH的数据是1就可以变为0的,而且并不是接着以前的32K接着写,以前的数据也可以通过这种办法改写;只是0不能变为1,而1可以变为0的一个过程;
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