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[原创] ESD困惑

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发表于 2013-5-28 17:44:07 | 显示全部楼层 |阅读模式

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突然有点困惑,所以想请教大虾们指点:
两个NMOS,一个按照ESD rule画,一个就是普通的NMOS,都放在同一个PAD上
为什么按照ESD rule画的NMOS管就能起到ESD作用呢,或者说按照ESD rule画的NMOS管的BJT为什么更容易打开呢
因为我觉得普通的NMOS也有寄生的BJT,为什么普通NMOS的BJT就不容易打开呢

换种提法,两种NMOS,为什么大家都认为ESD NMOS就是低阻通道,而普通NMOS就不是呢

谢谢
发表于 2013-5-28 18:10:26 | 显示全部楼层
回复 1# cmosdesigner


   你要想想寄生的BJT是怎么打开的,没有寄生的电阻,BJT应该打不开吧。。。。。
 楼主| 发表于 2013-5-28 18:16:40 | 显示全部楼层
回复 2# silverpuma


    普通的NMOS,衬底也是接在PSUB的,也有寄生电阻啊
不对吗,我也搞不清
发表于 2013-5-28 21:08:48 | 显示全部楼层
如果两者的路径都一样的话,其实不一定ESD rule的管子就会先通。
发表于 2013-5-29 08:34:34 | 显示全部楼层
有资料说是ESD的NMOS先通吗?
有些用作普通用途的MOS即使做在电路内部也会做成ESD结构的呢!
 楼主| 发表于 2013-5-29 09:09:57 | 显示全部楼层
回复 5# winsm


    确实没有看到这么做对比的
但是任和书,都是假设ESD管子是低阻通路,ESD电流就会先走ESD管子,所以我纳闷,为什么ESD管子就是低阻通路呢
发表于 2013-5-29 09:30:52 | 显示全部楼层
回复 6# cmosdesigner


   你看看版图就知道啦,普通的NMOS和ESD结构的NMOS是不一样的,注意漏端到栅的距离。。。。。
 楼主| 发表于 2013-5-29 11:16:35 | 显示全部楼层
回复 7# silverpuma

版图不一样这个我是知道的
你说的,普通NMOS的BJT是打不开的,为什么呢
ESD加大漏端孔到栅的距离,是为了使每个finger能均匀打开吧
 楼主| 发表于 2013-5-29 11:18:33 | 显示全部楼层
回复 2# silverpuma

寄生的BJT打开是,先是DB的反偏PN结雪崩,然后以后衬底的寄生电阻,使得BJT打开
那么普通NMOS也有衬底的寄生电阻啊

为什么普通NMOS打不开呢
发表于 2013-5-29 12:55:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2013-5-29 13:43 编辑

不加ESD电阻的话,感觉还是比较倾向于有一定概率会同时导通,不过是比例的问题。

普通尺寸的管子源漏极直接接ESD要加电阻,如果全部电流都流ESD,这个电阻就不用加了。

另一方面,也不是全部电流都流过普通管,例如VDD直接接ESD不用加电阻,如果全部电流都流过普通管,这个ESD管也不用加了。

以上是对于最常见的那种ESD管而言的。
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