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发表于 2013-5-13 18:33:34
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buried N_well 一般是包起來, 某些LOW VOLT 會包在 buried N
, iso- hi volt mos 也靠 buried N well 隔.
deep N_well 有些是 bipolar BCD process , 因為 collector 端須降低 Rc_contact resistor
所以會打 deep N_well .
簡單來說, 你的 device 如果是 Buried N_well 內或是 HVNW .. 不打 Deep n_well
會離 HVNW , buried N_well 有一小段距離 , 阻抗會有,
降低方式就是 deep N_well 直接打下去.
bipolar process 的BJT 會分帶 deep N_well 和沒有 deep N_well NPN bjt
driving 能力護不同. |
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