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本帖最后由 husthuige 于 2013-4-19 16:14 编辑
由于课程作业要求,小弟最近在跑IC设计的流程,在做到DC和PT阶段的时候,遇到了一些问题。 1.首先,关于DC之后是否要使用PT的问题。小弟也看了不少的资料,很多资料写到DC之后是要做PT的,这个称之为pre_layout STA。但是我又在eetop上看到好多人说DC之后没有必要做PT。所以,我想问的是,到底要不要? 2.我假设DC之后需要做PT,就像很多教程上面说的一样,具体步骤如下: 一.读入DC综合之后的网表文件(.v),并设置current_design 二.读入DC综合之后的时序约束文件.sdc 三.report_timing得到想要的时序信息 那么,按道理说,时序约束一样的话,在pre_layout阶段两者的时序报告文件应该没有太大的差异。但是我按照上面的步骤跑完PT之后,得到的时序文件和DC的差异很大,具体如下: 时序约束文件为:
在.synopsys_dc.setup和.synopsys_pt.setup中关于 search_pathtarget_library link_library symbol_library 等都是设置一样的
然后两者得出的报告文件如下: DC中报告如下(路径较长,只显示部分),data arrive time 为2.50 data required time为3.04 显示setup时间是没有违背的
PT报告如下(路径较长,只显示部分),data arrive time 为7.90 data required time为3.03 显示setup时间是有违背的,而且还特别的大
虽然两者的路径是不一样的,但是也不至于差别这么大吧?不过仔细观察报告文件可以看出是因为capacitance和transition_time不一样引起的,PT中的这这两个值比DC中的大得多,不知道这个是什么原因啊?两者设置的工艺库文件都是一样的啊?百思不得其解,望大神帮忙!!
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