MOSFET的GIDL和BIDL效用

mzqhtt · 发表于 2013-4-2 11:29:05

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对于MOS器件尺寸减小，会带来短沟道效应。其中就有GIDL （gate induced drain leakage）和 DIBL（drain induced barrier lowering）。不知道在器件分析的时候，I-V曲线（Id-Vd和Id-Vg）出现哪种情况对应GIDL，哪种对应DIBL呢？不知道谁能帮助解答。
要是有图解就更好了，谢谢。