关于PMOS为pass管的LDO

yadingfenfen · 发表于 2013-3-22 11:11:43

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PMOS为pass管的LDO，怎么考虑PMOS寄生电容CGD的米勒效应？

xiaowanzi88 · 发表于 2013-3-22 14:16:34

弱弱得问一句，这是一个米勒电容吗？
怎么感觉没在论文中提到呢？有前馈的作用，但是反馈不是通过这个电容吧？
如果前馈和反馈同时存在，直观看是存在米勒电容的，个人理解哦。

weidianwj · 发表于 2013-3-22 15:31:31

理论上是米勒电容。输出级之前一级要加一个buffer，把栅极产生的极点推远。如果你的输出级这级增益不高的话这个米勒电容影响不大。

yadingfenfen · 发表于 2013-3-22 23:25:03

回复 2# xiaowanzi88

为什么没有反馈作用呢，CGD直接跨接在G、D之间啊。

yadingfenfen · 发表于 2013-3-22 23:31:48

回复 3# weidianwj

对啊。如果是米勒电容，那在输出端看到的阻抗应该也要考虑CGD影响啊，可是我平常看到的论文都没有考虑这点的。很费解啊。

widlarfan · 发表于 2013-3-23 04:48:09

cgd of transistor in saturation......

xi8meng · 发表于 2013-3-24 21:57:38

回复 5# yadingfenfen

因为输出端通常都有片外电容的，CGD等效电容相比而言就可以忽略了；有一些补偿方案是利用这个米勒效应来作补偿，即在G,D端加电容补偿，这里也要考虑米勒补偿引入的RHZ.

weidianwj · 发表于 2013-3-25 08:11:44

回复 5# yadingfenfen

LDO输出级的增益是不大的，否则米勒电容的影响肯定很大，PMOS做调整管的话输出阻抗是分压电阻与rop的并联，输出级增益不大，再加上buffer的输出阻抗小，所以米勒电容对前级影响不大，对后级有输出接片外电容的的话这个米勒电容没啥影响，如果输出没有片外电容的话，我觉的这个是要虑的。

yadingfenfen · 发表于 2013-3-25 11:04:25

回复 8# weidianwj

嗯，你说的很有道理，LDO负载端接的输出电容通常比CGD大5~6个数量级。

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