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在2013年2月6日举办的“全球半导体论坛@东京2013”(主办:《日经电子》)上登台演讲的台积电日本公司代表董事小野寺诚介绍了台积电(TSMC)2013年的微细化投资计划。台积电2013年的设备投资额计划为90亿美元,比上年增加约10%,该公司打算将其中的大部分用于组建后28nm工艺生产线,目前正在同时建设五条生产线。
小野寺表示,台积电“将在2013年建成两个比较大的平台”。一个是“20SOC”,为采用后栅极方式高介电率(high-k)栅极绝缘膜和金属栅极的20nm工艺技术;另一个是“16FF”,为采用FinFET的16nm工艺技术。20nm工艺将把28nm工艺中分开的四个工艺技术整合成一个工艺。具体时间为,20nm工艺技术将在2013年1~3月开始风险量产,16nm工艺技术将提前至2013年10~12月开始风险量产。10nm工艺技术计划在2015年10~12月开始风险量产。对于最近一个季度在销售额中所占比例提高至22%的28nm工艺,今后将进一步扩大其产能。
台积电将按照上述计划,陆续在“Fab12(新竹)”、“Fab14(台南)”以及“Fab15(台中)”三个300mm晶圆工厂建立尖端工艺生产线。Fab12已经启动了量产28nm工艺的“Phase5”,正在组建量产20nm工艺和16nm工艺的“Phase6”,此外,还计划组建量产16nm工艺和10nm工艺的“Phase7”。
Fab14启动了量产40nm工艺的“Phase4”,正在组建跳过28nm工艺量产20nm工艺的“Phase5”及“Phase6”,面向20nm工艺的“Phase7”也在计划之中。Fab15启动了量产28nm工艺的“Phase2”,正为了扩大28nm工艺产能而组建“Phase3”和“Phase4”。
台积电目前约有4000名员工在开发尖端工艺技术。小野寺表示,“其中多数人都在从事20~10nm工艺及其以后的工艺技术开发”。 |
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