关于MOSFET的一些问题

bang0306 · 发表于 2013-1-30 20:57:21

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本帖最后由 bang0306 于 2013-1-30 20:59 编辑

1.MOSFET的一级SPICE模型中，Cox的值是已知的吗，如果是对于NFET PFET各为多少？
2.是只要SB之间的电压不为零就要考虑体效应吗？如果是的话，对于NFET,图中没有标出体端而S端电压不为零，此时用考虑体效应吗（NFET的衬底是默认接地的吗）？还有体效应是只有MOSFET工作在saturation region才有的吗？
本人初学，问题弱智，还望各位大虾不吝赐教！

zhzhixin · 发表于 2013-1-31 00:15:17

Cox应该是要通过Tox算的
NFET不是默认衬底接地的，并且体效应没有特指工作在饱和区。

widlarfan · 发表于 2013-1-31 07:31:36

set a simple model and run .OP analysis over it.

sli103105 · 发表于 2013-1-31 09:13:57

Yeah, tox is included in SPICE level-1 model. It should be the same for both N and PMOS.
As a rule-of-thumb, tox is L/50.

semico_ljj · 发表于 2013-1-31 10:05:43

tox is L/50,对90nm以下好像不适合

bang0306 · 发表于 2013-2-2 01:33:20

回复 4# sli103105
Since Tox equals L/50, can Cox be caculate from it? If then, what is the formula? And Thanks for your answer!

bang0306 · 发表于 2013-2-2 01:39:08

多谢楼上诸位的回答

bang0306 · 发表于 2013-2-2 01:42:07

回复 2# zhzhixin

多谢，能说下公式是什么吗

bang0306 · 发表于 2013-2-2 01:46:53

回复 5# semico_ljj
也就是说通常就是90nm了，还有就是90nm是指L还是别的什么东西？还有现在通常说的18nm是指什么的尺寸？多谢

shensyc · 发表于 2013-2-2 10:39:40

一般的工艺都会给出TOX的用ε/tox就是cox了。
sb的电压只要不为零都需要考虑体效应。在一般的n井工艺中nmos都是的b端都是接地的。体效应只是对晶体管的阈值电压有影响，所以不管在什么区都需要考虑体效应。

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