在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 6907|回复: 1

[求助] 请教关于tsmc.18 MOSFET 长宽设计范围

[复制链接]
发表于 2012-12-2 22:48:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 diamondpp 于 2012-12-2 22:50 编辑

For the 1.8V N/PMOS the valid gate length ranges froms 0.18~0.5um and the valid gate width per finger ranges from 1.5~8um
.the valid finger number range from1~64
(附件第九页) T018MMSP001_1_3.pdf (2.66 MB, 下载次数: 11 )

这是tsmc0.18 库自带说明的 一段话,我想问这段话是什么意思?难道沟道长度设计可用的范围是0.18-0.5um? 不是说的范围限制,是指的什么?谢谢
aa.png
发表于 2015-4-29 10:19:58 | 显示全部楼层
好资料
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-23 02:54 , Processed in 0.052271 second(s), 9 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表