flyback的原边电流检测电阻两端在开关管关断之后有振荡

cmfjxga · 发表于 2012-11-30 18:36:32

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设计一个准谐振flyback电路，采用的是电流模式工作。
在功率管的和地之间接一个电阻Rcs作为电流检测电阻，如下图所示

但是VRcs电压在功率管关断之后会有严重的振荡，导致一段接VRcs的比较器误翻转，使得电路无法正常工作。
VRcs电压的波形如下图所示，MOSFET含有是一个含有寄生电容的模型。

xi8meng · 发表于 2012-11-30 23:30:26

回复 1# cmfjxga

建议将VRcs通过一个RC低通滤波后，再接入比较器。另外注意RC值的选择

cmfjxga · 发表于 2012-12-1 10:43:03

可能是这么回事~
但是接了还是没有用，不知道是不是因为选的数值不对！这个总是可以调节的。

请问还有没有别人也做过这个？因为我的问题最重要的是现在没有办法查到这个振荡的来源，这才是最致命的问题啊

peterlin2010 · 发表于 2012-12-1 11:12:43

不是.. RCS 後接到內部 rc 是防負壓 , 一般都會在 gate turn on前有
leb 會遮掉 .

但你的問提是 gate off 後因為 light load 下會進 dcm 吧 ..
transformer那邊 diode 怎會是反向對接 ?
應該一般加上 snubber rc 才對 , second side 就放 load
對拉你的 transformer model ??
Flyback 是利用 gap 來儲能都須要一個漏感來模擬 .

cmfjxga · 发表于 2012-12-2 14:18:29

不是.. RCS 後接到內部 rc 是防負壓 , 一般都會在 gate turn on前有
leb 會遮掉 .

但你的問提是 gate ...
peterlin2010 发表于 2012-12-1 11:12

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我对于你的意见不是非常理解，我已经采用了一种RCD的方式来消除漏感的影响，电路图如下

但是结果似乎还是不奏效，
还有在现有的电感量（1.95025mH）下，负载平均电流为400mA的设定，并非轻负载条件下。
副边可以从电路图中看到，也接了RCD来避免漏感的影响。

对于以上图片中提到的POWER_MOS的模型如下

这个在POWER_MOS关断之后出现的56MHz的振荡的来源无法查明？

似乎也没有文献汇总提到过关于这方面的问题？哪位高人又有相关的资料？或者怎样查到这个相关的资料？
如果没有相关资料，那该怎样去消除呢？

POWER_MOS的模型是根据FQD2N80的模型建立的一届模型，Gm=2.4 S
其他寄生电容也是如图中所示。