为何只有Pmos可以偷ESD-Rule？

pinesong18 · 发表于 2013-1-12 22:55:19

同意四楼观点，NS 模式的ESD比较常见和比较弱。相对来说，nmos 靠breakdown 泄放电流的能力不如pmos的正向导通能力，因此削弱pmos比削弱nmos可取。

qinyuwenzhu · 发表于 2013-3-18 11:57:17

PMOS的的虽然也有snapback的寄生结构，但实际拐点非常不明显，测试曲线更接近于二极管的反向特性，不如NMOS的对DCG尺寸那么敏感。

harrycetc · 发表于 2013-3-19 20:24:14

学习学习

semico_ljj · 发表于 2013-3-29 15:13:15

nicer

JJmeow · 发表于 2013-7-3 16:04:36

感謝分享非常有用

alex_2012 · 发表于 2013-7-11 22:26:22

我记得ESD器件的SAB block层一般都会有，就是为了使ESD器件打开均匀。

layoutedit1 · 发表于 2013-8-15 18:09:20

Pmos 一般不会有snapback 或者很小

zixi_2012 · 发表于 2014-2-17 17:08:30

学习了

semico_ljj · 发表于 2014-2-19 13:45:41

nicer

mikeppq · 发表于 2014-4-24 09:45:52

nmos有snapback，不但不能偷还要做二级esd保护

[求助] 为何只有Pmos可以偷ESD-Rule？