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楼主: vlearner

[讨论] 如何有效保证设计中的mos管工作在亚阈值区、饱和区和线性区

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发表于 2023-9-6 16:38:56 | 显示全部楼层


lzicd 发表于 2023-8-30 14:08
截止区的界限又是多少?低于多少就到截止区了??


就是没有明确的分界线,模拟的东西是个连续的量,不同区域划分是人为划分的,实际是连续的(同一器件在不同环境比如不同温度,不同电源电压下这个界限还都不一样),不同器件更是有差异(一般满足正态分布)。为有效保证设计的mos管工作在你设定的区域,是需要留足够的裕度,一般不会做到临界点处。举个例子,一般书上认为nmos管vgs>vth且满足vds>vgs-vth时器件工作在饱和区,那么设计时就让vgs=vth+v1;vds=vgs-vth+v2 ;其中v1和v2就是你流的余量。实际上mos管的仿真模型远比这两个公式复杂,也就是说饱和区不是单纯这两个公式判断的,只能判断一个大概情况。

发表于 2023-9-6 17:30:01 | 显示全部楼层
同问,如何保证corner下亚阈值区的管子不会挂掉
发表于 2023-12-25 17:04:36 | 显示全部楼层


wkp1992101 发表于 2023-6-19 20:48
亚阈值区的下边界就是截止,某些PVT下,期间如果落入截止区,就game over

...


请问一下,设计管子都工作在亚阈值区,结果仿真有出现截止的情况,但实际上还是有电流,并且电路功能符合我的要求。这种情况是有问题,还是没有问题?我们必须得保证不能进入region=0吗
发表于 2024-3-25 20:17:05 | 显示全部楼层
亚阈值
发表于 2024-3-30 17:27:44 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2024-4-19 11:34:18 | 显示全部楼层


摩卡咖啡 发表于 2019-7-13 16:24
您这块了解清楚了吗?我看的吴金教授的课程里说,Vgs


您好,请教一下,那vgs大于vth 100mv左右,是不是处在弱反型区,同时也可以是饱和区?
发表于 2024-5-18 10:00:34 | 显示全部楼层


啊随随 发表于 2024-4-19 11:34
您好,请教一下,那vgs大于vth 100mv左右,是不是处在弱反型区,同时也可以是饱和区?
...


阈值电压定义不是强反型区的开始吗
发表于 2024-7-16 09:33:02 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2024-8-30 01:00:08 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2024-9-2 14:02:41 | 显示全部楼层
谢谢分享与讨论
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