三星发布10纳米64GB闪存芯片 整体性能提升30%

chongHwang

摘要: 三星发布10纳米64GB闪存芯片 整体性能提升30%。此次亮相的全新eMMC闪存芯片储存容量达到64GB，10纳米工艺制程令其体积缩小20%。此存储解决方案的随机写入速度高达2000IOPS，随机读取速度则达到5000IOPS，整体性能有着30%的提升。

登录/注册后可看大图     众所周知，三星公司存储解决方案如今已被广泛运用与智能手机、平板电脑等移动储存领域。早在2012年8月，三星公司就曾发布采用20纳米工艺制程的全新高速eMMC闪存芯片。 　　就在近日，三星公司正式发布全新升级的eMMC闪存芯片。其官方发布的消息称，此次亮相的全新eMMC闪存芯片储存容量达到64GB，10纳米工艺制程令其体积缩小20%。此存储解决方案的随机写入速度高达2000IOPS，随机读取速度则达到5000IOPS，整体性能有着30%的提升。 　　据悉全新eMMC闪存芯片已于2012年10月底正式投产，其将同样广泛适用于智能手机、平板电脑等智能移动终端产品领域。更小的体积与更高的性能，也将令智能手机等产品整体外观更为轻薄。