【求高手指教】求电阻串联在高分压比下的匹配方法

masicool18 · 发表于 2012-11-13 15:37:36

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本帖最后由 masicool18 于 2012-11-14 12:49 编辑

工艺是CSMC0.5
R3=10K
R1=R5=1650K
R2=R4=120K
电阻比值 R3:R1:R5:R2:R4 1:165:165:12:12

要求：
1.R1和R5匹配
R2和R4匹配
最好都能匹配，但以上匹配决定电路的功能，都匹配上决定电路的性能。
2.尽量减小R1、R5、R2、R4误差对R3的影响
3.为了提高精度，R3是10K是否合适，精度是否能保证，W多少比较合适？如何计算精度误差？

本人版图经验很少，目前没有太多头绪，请高手大侠指教，感激不尽！

randysong · 发表于 2012-11-13 15:53:12

模拟电路版图艺术上，有一章专门介绍了电阻匹配的画法，你可以去看看。
要高精度的匹配，单个电阻至少要包含5个方块。
电阻的宽度，工艺上应该会有介绍。

L_ju · 发表于 2012-11-13 18:00:27

本帖最后由 L_ju 于 2012-11-13 18:07 编辑

所提的要求和我对分压电阻电路的理解不一样，
1），分压电阻我会5个电阻全部做match的，这样由于工艺误差，它们同时做大10%或者小10%，分出的电压公式是res的比值，分子分母都是乘以110%或者90%，REF1，REF2..这些的值不会变化。我不理解为什么只要求R1,R5match，R2,R4match，如果1，5做大了，2,4变小了，REF1，REF2，REF3..这些会与预期有出入。
2）,5个res全部match
3，w要看工艺要求了，一般比工艺最小rule大的话精度会高，比如xfab的工艺，2um的rule，推荐5um。
但是同上面所说的一个道理，我认为分压电阻无需精度，即便value 差很多，只要高度match，我们只是求比值的。所以分出的电压不会有影响。

liuycto · 发表于 2012-11-13 21:08:20

从电路要求和便于layout设计角度来看，电路设计中最小的电阻cell取值50k欧。R3由5个并联实现。120k由2串+5并联+5并联，1.65M可以由33串来构成。此外要注意加dummy。

masicool18 · 发表于 2012-11-14 09:15:47

回复 4# liuycto

谢谢指点，把R3用5个并联这个方法受用了

masicool18 · 发表于 2012-11-14 09:19:54

回复 3# L_ju

如果可以5个都能一起匹配那太好了，这个电路可以看到R1、R5，R2、R4他们阻值分别都一样，所以我才要求分别匹配，但是如果把所有都匹配上那就更好了。还请再指教，匹配办法。

masicool18 · 发表于 2012-11-14 09:28:33

回复 3# L_ju

这个电路如果给误差分等级，首要就是R1、R5还有R2、R4的匹配，然后是R1、R5组成的分压，R2、R4组成的分压以及R3这三部分的分压之间的误差。都匹配是最终目的~

L_ju · 发表于 2012-11-14 09:51:33

5个都匹配，4楼的方法就可以了。

andy2000a · 发表于 2012-11-15 17:44:38

hr  w=2.5um => 4um wide 會讓MATCH 提高..

HR  1um 會危險

HR 雖比N_WELL R 好, 但是 2um 只是一般要求

NW or hvnw  w > 10um 會好些

masicool18 · 发表于 2012-11-16 15:58:33

回复 9# andy2000a
谢谢指点~

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