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楼主: steve_guo_1997

[求助] 低功耗bandgap求教(<1uA)

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发表于 2020-6-20 12:18:02 | 显示全部楼层


amodaman 发表于 2012-10-22 22:18
回复 6# steve_guo_1997


您做的<1uA的bandgap有放大器吗?管子都在亚阈值区?

发表于 2020-6-20 14:55:18 | 显示全部楼层


这是8年前回复的啊。太久了...
发表于 2020-6-20 15:15:35 | 显示全部楼层


amodaman 发表于 2020-6-20 14:55
这是8年前回复的啊。太久了...


最近也在做一个dc-dc和ldo,需要搞一个亚阈值的bandgap。
这么多年了,还没真正设计过一个工作在亚阈值区饱和状态的电路呢

顺便问一下,工作在亚阈值区饱和状态的管子,其过驱动电压设置为多大合适?2个热电压(26mV)可以吗?

发表于 2020-7-30 13:31:06 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2012-10-24 15:28
請問 current mirror 低到 0.1ua c會如何?
bandgap  如果用 OPA + 2 bjt diode 串電阻方式, 至少要幾串  
...


動作不良,  量產後會有   ~8% yield loss .?
这是为啥?
发表于 2020-7-30 14:17:43 | 显示全部楼层


chenximing 发表于 2020-7-30 13:31
動作不良,  量產後會有   ~8% yield loss .?
这是为啥?


AC/DC flyback startUp前要求低于 ua. 但是做法 2, 一种整个 bandgap  < 2ua , cascadebandgap 每个current mirror 分路可能 约低于 0.2~0.5ua.  仿真当然都会动阿 ..但量产 你就知道
另一种做法是 偶尔 wake up , 其它时间 sleeping..平均很省电 .  有人说这做法比较安全,  mos都工作正常电流 .   
第一种方式 很多 HV process pwm ic 都有做吧 . 碰到问题  低温” -40 . 因为高压工艺  也不是那 3.3v  5v.  本身 mosVth 比较高. 毕竟 40v , 量产后磁在客户端才发现问题, 你一般流片当然看不出问题 .  高压 CMOS mos current  mirror 以前碰过  < 0.2ua 有高风险

可能高压 mosVth . 特性不如低压 .  我一直在想 mos current mirror 到底能做多低  还能 mirror 很好?  0.1ua ?   还是 0.01ua ?? simulation 可能都看不出问题,   
另外问个问题.  Mos currentmirror 如果类似 microled drive 400 channel , 那要如何做到 400 currentmirror 都很accuracy match ?      

发表于 2020-7-30 18:12:16 | 显示全部楼层
大电阻是个头疼的问题,如果做LDO的话,Iq也会因为启动电路静态电流大而受影响,感觉还是要往低压带隙方向做
发表于 2020-7-30 22:12:23 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2020-7-30 14:17
AC/DC flyback 在 startUp前要求低于 ua. 但是做法 2种, 一种整个 bandgap  < 2ua 内 , cascadebandgap  ...


你的意思是,高压时,current mirror输出电流不准?是不是有可能是失配引起的?高压管子mismatch较大。
发表于 2020-7-31 11:47:24 | 显示全部楼层


chenximing 发表于 2020-7-30 22:12
你的意思是,高压时,current mirror输出电流不准?是不是有可能是失配引起的?高压管子mismatch较大。
...


应该是.. 总之 shuttle 回来  有些DIE startUp , 有些DIE 不会动 .  
  不过那是同事设计 .   

发表于 2022-1-25 10:27:35 | 显示全部楼层
thabks
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