低功耗bandgap求教(<1uA)

TianBian365 · 发表于 2012-10-26 13:49:02

回复 14# steve_guo_1997

回复 4# TianBian365

1. 有没有具体流片测试过，仿真结果和测试结果是否相近，在哪种工艺节点下实现？

A:流片过，仿真测试几乎一致。0.6um的bcd工艺。

2. 靠近高温区域是否会有问题？ leakage有无影响？

A: 没有问题，(leakage<10nA)，希望你对leakage有自己的表述，别张嘴就来，却抓不住要点。

leakage确实会随温度变化，但和W/L 以及VDS很相关，请看器件物理详解。

3. OS偏差如何？是否符合foundry mismatch参数？

A： OS跟匹配尺寸和环路增益相关，我就不多说了。。。

PS. 自己提出的问题，搞得自己跟专业一样。。。希望你去掉你的浮躁。。。不可能我把设计直接贴给你，只能提供你设计的思路。。

鄙人流片一次成功率较高，也没有你这般气场。。。

TianBian365 · 发表于 2012-10-26 13:54:41

回复 11# MOSBJT

没有任何问题，但要考虑衬底漏电流。。。

steve_guo_1997 · 发表于 2012-10-26 21:42:36

本帖最后由 steve_guo_1997 于 2012-10-26 22:02 编辑

回复 21# TianBian365

，大牛，受教了。
除此之外，这种bandgap设计中还有什么要注意的？

arbil · 发表于 2012-11-7 09:11:40

回复 22# TianBian365

请教衬底漏电流是指衬底coupling及其它模块向衬底注入的电流么？如何在仿真中模拟这种情况的影响，以及版图上如何保护？

如果用vertical PNP管来做bandgap，如果把PNP周围的sub-ring 加的宽一些，是否足够？

atxa · 发表于 2015-7-24 12:46:47

很好的帖子最近也在做这个不知道结果怎么样赫赫

jalong · 发表于 2015-7-26 09:39:53

用depletion mos+trim

bikku007 · 发表于 2015-7-31 01:25:23

亚阈值操作，并在准备给大地产区

weir.sj · 发表于 2016-7-26 20:53:35

回复 21# TianBian365

请教假如每一路只有0.1uA，npn的beta=50，高温时beta会变大到大概100多，同时ic 是ptat所以高温125度时可能所需的ib是3nA左右，然而cb结的漏电流此时已经大于3nA，在~10nA量级，这时ib方向反向了，不知道会不会有什么问题？

雪走之魂 · 发表于 2016-7-27 09:44:34

楼主的要求还真是低，不一定要亚阈值，三极管也可以做到的，主要看你面积要求的，亚阈值的话，不保险也不实用，只是功耗低面积小而已。

ic_newer · 发表于 2016-11-29 14:36:33

1. 有没有具体流片测试过，仿真结果和测试结果是否相近，在哪种工艺节点下实现？
流片过，仿真测试几乎一致。0.13um工艺。
2. 靠近高温区域是否会有问题？ leakage有无影响？
没有问题。
3. OS偏差如何？是否符合foundry mismatch参数？
测试精度满足5%

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