nm级工艺IO电压

laiqingbing · 发表于 2012-9-7 15:51:23

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请问各位在使用TSMC/GF/SMIC 65nm/40nm工艺时，如何实现多种工作电压IO，虽然design rule里面有upperdrive/downdrive，可以使2.5V的IO变为3.3V/1.8V，请问在同一芯片内能否实现这3种工作电压的IO。
还有65nm工艺后一般都会介绍三栅氧工艺，请问上诉三家代工厂能否在同一芯片内实现三种不同厚度的栅氧结构。

pxj0557 · 发表于 2016-6-6 09:53:31

我也想学习一下！！！

张学胜 · 发表于 2018-11-19 13:40:57

锗硅技术国人已经follow了，但是距离应用还很远。

张学胜 · 发表于 2019-1-13 10:56:40

多谢啊

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