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[求助] active region 有源区 解释

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发表于 2012-8-29 10:41:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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active region 有源区 指的是那一部分:只是包括源漏区域 还是包括源漏和沟道的区域?
发表于 2012-8-30 00:54:55 | 显示全部楼层
包括源漏和沟道的区域,即除去场氧的区域
 楼主| 发表于 2012-8-30 11:02:49 | 显示全部楼层
回复 2# 729050850


    谢谢 还想问一个问题
多晶硅可以跨越源区或漏区引出来吗
发表于 2012-8-30 11:32:59 | 显示全部楼层
poly跨越源区或漏区,产生寄生的MOS管
发表于 2012-8-30 14:12:53 | 显示全部楼层
回复 4# 729050850


   弱弱地问一下为什么产生的是寄生MOS管啊?
 楼主| 发表于 2012-8-30 14:48:40 | 显示全部楼层
回复 4# 729050850


    这个所谓的寄生晶体管,其源漏沟道是同一掺杂啊  而且其源漏是短接的 影响应该不会太大吧
发表于 2012-8-30 18:25:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 729050850 于 2012-8-30 20:32 编辑

先做POLY层,后离子注入,跨越ACTIVE的POLY下边,离子无法注入,形成一个寄生的管子,可以用METAL跨过ACTIVE,要不DRC也会报错
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