源漏互换时会发生什么？

chaojixin · 发表于 2012-8-14 15:58:51

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本帖最后由 chaojixin 于 2012-8-14 16:54 编辑

拜读复旦一大牛的毕业论文看到，源漏互换效应会影响开关线性度，而且居然输入频率越高还越严重？！百度了一下也没有找到讲源漏互换的细节问题的，哪位能帮忙说说啊？
谢谢啦！

另外我还想问下如果衬或者阱如果不是独立接的而是和源接一块，但是我用的是CMOS开关，这样用可以吗？

再次感谢！

dj_max · 发表于 2012-8-14 16:01:54

对于nmos来说，哪边电压低，哪边就是source。看了Razavi第一章就应该明白了

chaojixin · 发表于 2012-8-14 16:50:48

回复 2# dj_max

我可能表达错意思了……他说源漏互换会对开关线性度造成影响。我是想问互换时会发生什么，不是要问什么叫源漏互换

iclover7654321 · 发表于 2012-8-14 17:07:49

首先要弄清楚什么是源漏互换，才能去谈“互换会发生什么”

andrew1986 · 发表于 2012-8-15 08:59:55

MOS的drain和source一般情况下互换是没有问题的，电路级仿真谁做drain 谁做source都一样。
但是如果已成为实际器件，即版图已经完成，source和drain两端的周边环境可能不同，这时如果你在版图层次上改动，把drain和source换着用，那可能会有问题，尤其是在高频时，两端的寄生参数不同。

第二个问题，cmos开关一般都会把bulk电平按PMOS接最高电位，NMOS接最低电位来用，没有看到过bulk和source连一起的开关。因为开关是双向的，你不知道哪边会是低电平，哪边高电平，所以最好是独立连接电源或地，以免发生漏电。。。

chaojixin · 发表于 2012-8-15 09:34:05

回复 5# andrew1986

谢谢！源漏互换和线性度能扯上什么关系么？因为原文里说会影响线性度。可是如果只是寄生的话应该只有电容的效应，不会影响线性度的吧？

semico_ljj · 发表于 2012-8-15 11:09:14

可以把复旦论文描述清楚吗？谢谢

semico_ljj · 发表于 2012-8-15 11:09:54

普通常规工艺应该说S、D是一样的

chaner2002 · 发表于 2012-8-15 12:37:11

求贴原文

dscd1900 · 发表于 2012-8-16 09:24:53

应该没问题，但是得考虑电流流过的正确路径

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