匹配器件上可以走matal2及上的金属吗？

tfangli1234 · 发表于 2012-7-26 10:24:47

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在需要匹配的器件上可以走骂matal2及以上的金属吗？还有，可以在匹配的MOS管的有源区打M2_M1或M3_M2孔吗？

andyhunter · 发表于 2012-7-26 11:00:57

尽可能不要走，既然是要做匹配了，对面积的要求就没那么苛刻了吧，绕一绕总能过去。

haydnzhang · 发表于 2012-7-26 11:30:28

同意2#说法。

allen_tang · 发表于 2012-7-26 12:11:47

一般的，比如power/输出OP/电流镜结构，以DC信号为主的，device上跑自身的MT2 routing没什么问题，但是也要尽量做到matching；对于high speed的而言，减少寄生，就要在MOS外面用routing channel 了。
总之还是面积、性能的折中，看具体的是哪种功能的芯片吧。

loopgain · 发表于 2012-7-27 13:09:28

不行，mismatching很差

tfangli1234 · 发表于 2012-7-27 15:46:37

拼接整体的时候，会从匹配的器件上（如放大器的差分对管）上面都走了很多线，都是与匹配器无关的其他信号线，都是M2及以上的线，不知道有什么影响，大不大？

dinggo · 发表于 2012-8-6 13:52:02

可以的，没那么变态的要求，只是在相同情况下，匹配效果会差一点，但并不大，对于电流镜
的大部分应用下，是没有问题的

wjyang79 · 发表于 2012-8-20 10:47:24

匹配的器件上方不是不可以走metal 而是要完全匹配就是metal也要匹配(比方说如果要在中间走一段metal 匹配的所有方块都要走才行不能一些走一些不走而且走的形状都要一模一样) 当然保守的方式就是都不要走但是M2以上对于晶体管的影响比较小了我的话都是只管M1 以上的都自由使用

professor_h · 发表于 2012-8-21 10:50:25

本帖最后由 professor_h 于 2012-8-21 10:53 编辑

基本同意8楼同志的说法，不过我一般能不走的绝对不走，除非逼不得已（很少很少逼不得已），就算走也用top metal，或是倒数第二层metal ，既然都做匹配了，又何必再去破坏自己的匹配，不管怎么总是有影响的~~
在有源区一般不打孔，至少我从来没有打过，除非数字的~~

bigtd_csd · 发表于 2021-3-23 15:43:19

在不考虑寄生的时候，我这边是先用接GND的M1直接走线覆盖完成金属线的匹配，免得走高层拼接的时候是否能走线不太好考虑。

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