Silicide、Salicide和Polycide

le_levi · 发表于 2012-7-13 12:16:13

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

本帖最后由 le_levi 于 2019-4-13 17:54 编辑

三个名词对应着同一种应用，即用硅化物来降低Poly上的连接电阻。其中，SILICIDE就是金属硅化物，是由金属和硅经过物理化学反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，而POLYCIDE和SALICIDE则是分别指不同的形成SILICIDE的工艺流程，这两个流程的区别简述如下：
POLYCIDE：其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI），然后在POLY上继续生长金属硅化物（silicide），其一般为 WSi2 （硅化钨）和 TiSi2 （硅化钛）薄膜，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序，完成整个芯片制造。

SILICIDE: 它的生成比较复杂，先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在POLY上淀积一层金属层（一般为 Ti,Co或Ni），然后进行第一次快速升温煺火处理（RTA），使多晶硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。根据煺火温度设定，使得其他绝缘层（ Nitride 或 Oxide）上的淀积金属不能跟绝缘层反应产生不希望的硅化物，因此是一种自对准的过程。然后再用一中选择性强的湿法刻蚀（NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液）清除不需要的金属淀积层，留下栅极及其他需要做硅化物的salicide。另外，还可以经过多次煺火形成更低阻值的硅化物连接。

跟POLYCIDE不同的是，SILICIDE可以同时形成有源区S/D接触的硅化物，降低其接触孔的欧姆电阻，在深亚微米器件中，减少由于尺寸降低带来的相对接触电阻的提升。另外，在制作高值POLY电阻的时候，必须专门有一层来避免在POLY上形成SALICIDE ，否则电阻值就高不了。

assdf__ · 发表于 2012-7-17 06:45:00

学习知识

sundyji · 发表于 2012-7-17 13:44:58

敢问楼主这个解释是在哪里看到的？

le_levi · 发表于 2012-7-17 15:33:21

以前在一个论坛上面看到的，后来搜集在一起的。如有错误请指正，并且补充完善，大家共学习！

darry13912 · 发表于 2012-11-28 22:24:27

好东西!
不知道仿真的软件是什么?

iyahsue · 发表于 2012-12-12 13:25:30

goooooooooooooooooooooooooooood

小丫 · 发表于 2013-5-4 00:16:00

•
Polysilicon Silicide (Polycide)

•
Self-aligned Silicide (Salicide)

yeshengseu · 发表于 2014-5-23 21:53:05

不错是技术贴以前看到过楼主可在此帖基础上深入下......比如SAB在ESD/trim res上的应用....

古月小君 · 发表于 2016-3-7 14:38:36

一直没搞明白过

piao · 发表于 2022-9-28 00:27:04

thanks for sharing

[转贴] Silicide、Salicide和Polycide

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2