应材蚀刻技术大突破

even_ryen

半导体设备大厂应用材​​料推出最先进的蚀刻技术－Applied Centura Avatar介电层蚀刻系统，这项突破性的系统是解决建立3D记忆体架构的严峻挑战；3D记忆体架构可提供高密度兆位元储存容量，为未来资料密集型行动装置所必需。

　应用材料表示，Avatar系统可在复合薄膜堆叠层中进行孔洞性蚀刻及沟槽性蚀刻，深宽比可高达80比1，单一制程能同时蚀刻出各种不同深度的结构，以形状比例来形容的话，美国华盛顿纪念碑的深宽比是10比1高，台北101大楼约9比1。

　此外，该系统是第一款具备能同时蚀刻深度变化落差极大的特征结构功能的系统，对于制造连接外界与各层记忆单元的「阶梯式」接触结构非常重要。

　应用材料副总裁暨蚀刻事业群总经理琶布．若杰（Prabu Raja）表示，3D记忆体结构必须在复杂的多层材料堆叠中进行深度的特征结构蚀刻，Avatar系统利用我们在电浆领域的领导技术，解决3D记忆体结构的制程挑战。客户对于新系统的突破性功能非常感兴趣，已售出超过30组系统给多家客户，用于各项重要应用。

conghung2012

为未来资料密集型行动装置所必需。

conghung2012

为未来资料密集型行动装置所必需。