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EETOP诚邀模拟IC相关培训讲师 创芯人才网--重磅上线啦!
查看: 4043|回复: 9

[原创] PMOS和NMOS尺寸一样大

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发表于 2012-7-5 10:58:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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提问 比如在模拟电路中一个INV,PMOS和NMOS的尺寸有时候是一样大的,这是为什么呢?
发表于 2012-7-5 11:40:10 | 显示全部楼层
回复 1# lwq_119


   调节Vm
 楼主| 发表于 2012-7-5 11:59:34 | 显示全部楼层
回复 2# feynmancgz


    Vm?共模电压吗?可是这些INV都是接的数字信号,作为一个控制信号的。比如给一个PMOS的栅极或者NMOS的栅极。
发表于 2012-7-5 12:03:37 | 显示全部楼层
回复 3# lwq_119


   Vm是Vin=Vout时的点
发表于 2012-7-5 13:19:00 | 显示全部楼层
有时候就是为了简单。一个反相器还搞3:1不是浪费面积吗?
发表于 2012-7-10 15:31:10 | 显示全部楼层
一般是调成2:1的,这是因为两个mos的载流子速率不同,从而为了达到相等的上升和下降沿,就设计成2:1的。
发表于 2012-9-26 12:46:21 | 显示全部楼层
这是基于系统工作点的设定和单位建立时间的折中
发表于 2012-10-10 12:00:27 | 显示全部楼层




其实多数工艺达到相等的上升和下降沿时比例接近2.5:1,设计成2:1的情况是总延迟优化的结果。
发表于 2013-3-16 07:57:28 | 显示全部楼层
开关用。。。
发表于 2013-3-16 20:54:24 | 显示全部楼层
前面说的Vm是阈值电压吧。可能跟前级信号有关。
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