请问rf mos器件与普通mos器件的区别？

zhujihan · 发表于 2012-6-24 17:01:40

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我想问的是：同一个工艺的PDK（比如说 smic 0.18 的rf mix signal工艺）
里面有rf_mos与普通mos

那么从layout上看这两种mos只有一个层次不同（rf_mos多了一层rf define，而这层应该不会做成masker的）
再有就是最大最小尺寸的rule不同，以及仿真model的区别；

那么我想请教的是，这两种器件在工艺上有无其他不同，比如说额外的注入啦，或者不同的栅氧厚度啦，之类的。。
谢谢。

shangyouqiang · 发表于 2012-6-25 12:32:32

会的人来回答一下

zhujihan · 发表于 2012-6-25 14:08:16

T_T一直弄不清楚呀

zqlv · 发表于 2012-6-25 17:55:46

个人认为，两种器件在工艺上没有不同，rf_cmos只是促进了模型精度和具有较好的保护。

iamshan · 发表于 2012-6-25 23:40:17

就器件本身来说应该是一样的，但是外接连线是不一样的

seetoo · 发表于 2012-6-27 10:43:51

感觉只是模型的差异，rf的模型更精准，因此仿真量更大。

zhujihan · 发表于 2012-6-28 17:15:30

哦。原来如此。我仿真的时候发现温度系数变化挺大，还以为工艺上有区别。

afilter · 发表于 2012-6-29 16:24:38

没有区别。 rf的模型在普通mos的基础上加入走线和nwell的参数
可以打开model看一下网表，就知道了

afilter · 发表于 2012-6-29 16:27:59

rf的模型，就是调用mos的DC模型，加入AC参数

mixasic · 发表于 2012-7-5 20:53:33

我仿真比较了下二者的特性曲线，发现RFMOS上翘得慢一些！同样的VGS电压下RFMOS的电流大

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