提图的时候耗尽型的管子和普通CMOS管可以区分开来吗？

math123 · 发表于 2012-6-10 17:03:07

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本帖最后由 math123 于 2012-6-14 21:58 编辑

如果能区分，是从poly层还是衬底层来区分？谢谢！

y3rike · 发表于 2012-6-10 19:49:57

2个都能区分吧
这个需要对工艺和版图都很熟悉的人才行

yiranxian · 发表于 2012-6-10 21:11:39

这个没遇见啊

leefuture50 · 发表于 2012-6-10 21:44:56

不好分吧，我看有的耗尽管只比普通管子多一层implantation

xiaowanzi88 · 发表于 2012-6-12 23:53:52

需要染色，一下就看出来了！

math123 · 发表于 2012-6-14 21:57:37

需要染色，一下就看出来了！
xiaowanzi88 发表于 2012-6-12 23:53

登录/注册后可看大图

明白了，谢谢！

math123 · 发表于 2012-6-14 21:57:43

需要染色，一下就看出来了！
xiaowanzi88 发表于 2012-6-12 23:53

登录/注册后可看大图

明白了，谢谢！

一西 · 发表于 2020-7-10 17:29:45

之前一个项目就遇到过，是华宏的工艺
通过PDK中的剖面图发现耗尽和增强管只差一层，照片上也几乎一样
拿出去做剖面分析，依然看不出来

按照经验，一般耗尽管的L会比增强管稍大些，防止漏电
或者更直接的就是，FIB切出单管，然后probe直接判断

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[解决] 提图的时候耗尽型的管子和普通CMOS管可以区分开来吗？